晶圆烤箱配备100级洁净腔体与氮气循环系统，氧含量＜5ppm，避免硅片氧化；传统烤箱仅实现常规空气环境加热，无法满足半导体工艺要求。温度均匀性方面，晶圆烤箱达±0.25℃（12英寸晶圆），而工业烤箱通常±5℃。
热传导机制：
晶圆烤箱：采用红外辐射+热板传导复合加热，升温速率1-20℃/s可调，支持RTP快速退火；
传统烤箱：单一对流加热，升温速率＜5℃/min，存在热滞后效应。
材料兼容性：
晶圆烤箱腔体使用高纯度石英或碳化硅涂层，耐腐蚀气体（HF/HCl）；传统烤箱不锈钢腔体在半导体工艺中易产生金属污染（Na/K＜1E10 atoms/cm²要求）。
智能控制系统：
晶圆烤箱集成SECS/GEM通讯协议，可追溯每片晶圆的温度曲线（数据采样率100Hz），传统烤箱仅具备基础PLC控制。
能效比数据：
8英寸晶圆烤箱每小时耗电15kW（处理50片），同等产能下传统烤箱能耗达25kW，且无法实现工艺气体回收。
